半导体产业发展至今经历了三个阶段：第一代半导体硅材料，第二代砷化镓材料，再到以第三代氮化镓、碳化硅材料为代表的宽禁带半导体（Wide?bandgap semiconductor）。其中第三代半导体材料的兴起，则以氮化镓（GaN）材料p型掺杂的突破为起点，以高亮度蓝光发光二极管LED和蓝光梅高美游戏网站LD的研制成功为标志。

第三代半导体与前两代半导体最大的区别是禁带宽度更宽，可以跨越从0.7~6.2eV，所以大家称为宽禁带半导体材料。因其具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，而逐步受到重视。

半导体的光致发光光谱测量

光致发光光谱定义为当一束光子能量足够高（大于半导体材料的禁带宽度Eg）的激光入射到半导体材料上，会将价带的电子激发到导带，从而在该材料中产生大量的电子空穴对，形成非平衡载流子。这些非平衡载流子随即通过各种散射过程快速弛豫到相应能带的底部，最后发生复合产生荧光。采集该复合发光的光谱即称为光致发光光谱。

PL过程实际上是电子从较高能级向较低能级跃迁的过程中释放出光子，释放出的光子能量由这些高低能级的能量差来决定，其揭示了材料内部能级位置。从而来进行材料的分析。

XITON的IMPRESS213梅高美游戏网站参数

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IMPRESS 213 应用于AlGaN PL测量

上图所示为，通过213nm（Xiton?Photonics Impress 213）激光光源测定了外延生长在蓝宝石衬底上的345nm?AlGaN薄膜PL特性，测量温度为10k。测量了AlGaN不同比例组成成分和不同激光功率下的PL光谱特性。

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