光电探测器 Archives - Pinnacle Scientific (China) Limited /product-category/laser-measurement-instruments/photodetectors/ Sat, 27 Aug 2022 09:28:45 +0000 en-US hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.5.3 Lepton制冷探测器 /product/lepton-cooled-detector/ /product/lepton-cooled-detector/#respond Thu, 03 Dec 2020 05:23:37 +0000 https://joez2.sg-host.com/?post_type=product&p=4235 单元素非冷却VPD PbSe检测器,以TO-8密封包装,有2种标准尺寸:1×1 mm2、2×2 mm2和1-或2-TEC级。 特征: 可用的尺寸:1mm x 1mm,2mm x 2mm 封装:TO-8密封(12或16针),直径0.6英寸 读出电子:外部(不包括在内)–与带有USB输出的LEPTON PREAMP兼容 冷却阶段:1-TEC / 2-TEC 蓝宝石窗口 可订制

The post Lepton制冷探测器 appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
技术指标:

  • VPD PbSe单元素器件
  • 检测频带:MWIR(1-5微米)
  • 提供热敏电阻校准曲线
  • D *(λ峰值,1000 Hz,1.2 Hz):1x10E10 Jones
  • 探测器尺寸:1×1 mm2 / 2 x 2 mm2
  • 具有1-TEC或2-TEC级的冷却探测器,可实现更高的灵敏度
  • TO-8密封包装,直径0.6英寸(15.24毫米),12引脚引线(2个用于TEC级,2个用于热敏电阻,2个用于探测器)

可下载文件:LEPTON_SERIES

应用领域:

  • 气体和火焰检测
  • 激光检测

The post Lepton制冷探测器 appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
/product/lepton-cooled-detector/feed/ 0
Lepton无制冷探测器 /product/lepton-uncooled-detector/ /product/lepton-uncooled-detector/#respond Thu, 03 Dec 2020 02:51:47 +0000 https://joez2.sg-host.com/?post_type=product&p=4205 轻质无感探测器,单个VPD PbSe检测器,未冷却,有两种标准尺寸(1 x 1mm,2 x 2mm),采用SMD和TO-5(密封)封装,带有蓝宝石窗口。 特征: 可用的尺寸:1mm x 1mm,2mm x 2mm 封装的:SMD非密封,TO-5密封 阅读电子产品:外部(不包括在内) 不冷藏 蓝宝石窗口 可订制

The post Lepton无制冷探测器 appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
检测器功能:

  • 灵敏的探测器材料:多晶VPD PbSe
  • 室温操作:可操作,无需冷藏
  • 标准几何:正方形几何
  • 像素大小(mm2):2个型号(mm2):1×1、2×2

检测器光谱特性:

  • 红外检测波段:MWIR(1-5μm,WLpeak @ 3.7μm)
  • 光谱响应:1.0-5.0μm
  • WLpeak:3.7μm
  • D *(WLpeak):2x10E9 Jones
  • D *(-3dB):1.6 / 4.5μm
  • 时间常数(us):<2 us

电气特性:

  • 极化电压(典型值):5 VDC
  • 像素电阻:0.1-2.0 MOhm
  • 功率:1mW

其他:

  • 冷藏:未冷藏(在室温下运行)
  • 包装:带蓝宝石窗口,2个选项:
    • SMD(与LCC68封装兼容)
    • TO-5(带盖,水密)
  • 工作温度:+5 / +70?C

可下载文件:LEPTON_SERIES

 

应用领域

  • 火焰和气体检测
  • 激光检测

 

相关产品:

LEPTON 模拟前置放大器

Lepton USB输出前置放大器

The post Lepton无制冷探测器 appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
/product/lepton-uncooled-detector/feed/ 0
硅光电倍增管(SiPM) /product/silicon-multiplier/ /product/silicon-multiplier/#respond Tue, 01 Dec 2020 07:32:49 +0000 https://joez2.sg-host.com/?post_type=product&p=4103 First Sensor硅光电倍增管(SiPM)是具有单光子灵敏度的创新型固态硅探测器。硅光电倍增管是光电倍增管的有效替代品。该系列探测器的主要优势在于其高增益特性、卓越响应速度和低工作电压。该系列探测器还具有对磁场不敏感和集成度高等特点。该系列探测器针对在420nm或550nm波段具有峰值敏感性的近紫外线(NUV)或红绿蓝3通道(RGB)光检测应用进行了优化设计。芯片级封装(CSP)采用无边框硅光电倍增管冲模,提供经济高效的解决方案,以此最大限度地扩大活跃区面积。 典型应用领域包括高能物理、医学影像学、核医学、国土安全及分析仪器等。 特性 出色的单光子探测灵敏度 光检测工作距离长(响应波长:350至900nm) 暗计数率 <100/<200 kHz/mm2 优异的击穿电压一致性 良好的温度稳定性 极高增益 (106) 卓越的定时性能 对磁场不敏感 即使直接曝光在环境背景光下也不会损坏探测器 芯片级封装(CSP)符合RoHS要求 此外,First Sensor可针对您的具体要求开发硅光电倍增管模块。该系列定制化模块可集成至您的系统中,便于测试运行。 文件下载 PDF数据手册:?Near Ultraviolet (NUV) SiPMs PDF数据手册:?Red, Green, Blue (RGB) SiPMs PDF数据手册:?SiPM Module PDF应用说明:?Introduction to silicon photomultipliers (SiPMs) 近紫外线(NUV)硅光电倍增管 技术规格和PDF数据图表 Order # Chip package Active area (mm) Pixel size (?m) Pixel Fill- factor Dark count rate (kHz/mm?) [...]

The post 硅光电倍增管(SiPM) appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
First Sensor硅光电倍增管(SiPM)是具有单光子灵敏度的创新型固态硅探测器。硅光电倍增管是光电倍增管的有效替代品。该系列探测器的主要优势在于其高增益特性、卓越响应速度和低工作电压。该系列探测器还具有对磁场不敏感和集成度高等特点。该系列探测器针对在420nm或550nm波段具有峰值敏感性的近紫外线(NUV)或红绿蓝3通道(RGB)光检测应用进行了优化设计。芯片级封装(CSP)采用无边框硅光电倍增管冲模,提供经济高效的解决方案,以此最大限度地扩大活跃区面积。

典型应用领域包括高能物理、医学影像学、核医学、国土安全及分析仪器等。

特性

  • 出色的单光子探测灵敏度
  • 光检测工作距离长(响应波长:350至900nm)
  • 暗计数率 <100/<200 kHz/mm2
  • 优异的击穿电压一致性
  • 良好的温度稳定性
  • 极高增益 (106)
  • 卓越的定时性能
  • 对磁场不敏感
  • 即使直接曝光在环境背景光下也不会损坏探测器
  • 芯片级封装(CSP)符合RoHS要求

此外,First Sensor可针对您的具体要求开发硅光电倍增管模块。该系列定制化模块可集成至您的系统中,便于测试运行。

文件下载

近紫外线(NUV)硅光电倍增管

技术规格和PDF数据图表

Order #
Chip
package
Active
area
(mm)
Pixel
size
(?m)
Pixel
Fill-
factor
Dark count
rate
(kHz/mm?)
Photon
detection
efficiency
(%)
Gain
5000076 SMD 1×1 40×40 625 60 <50 @ 2 V OV
<100 @ 6 V OV
43 3.6×106
5000077 SMD ? 1.2 40×40 673 60 <50 @ 2 V OV
<100 @ 6 V OV
43 3.6×106
5000078 SMD 3×3 40×40 5520 60 <50 @ 2 V OV
<100 @ 6 V OV
43 3.6×106
5000079 SMD 4×4 40×40 9340 60 <50 @ 2 V OV
<100 @ 6 V OV
43 3.6×106

 

红绿蓝3通道(RGB)硅光电倍增管

技术规格和PDF数据图表

Order #
Chip
package
Active
area
(mm)
Pixel
size
(?m)
Pixel
Fill-
factor
Dark count
rate
(kHz/mm?)
Photon
detection
efficiency
(%)
Gain
5000080 SMD 1×1 40×40 625 60 <100 @ 2 V OV
<200 @ 4 V OV
32.5 2.7×106
5000081 SMD ? 1.2 40×40 673 60 <100 @ 2 V OV
<200 @ 4 V OV
32.5 2.7×106
5000082 SMD 3×3 40×40 5520 60 <100 @ 2 V OV
<200 @ 4 V OV
32.5 2.7×106
5000083 SMD 4×4 40×40 9340 60 <100 @ 2 V OV
<200 @ 4 V OV
32.5 2.7×106

完整评估套件

为尽可能简化First Sensor雪崩光电二极管探测器的检测过程,大家开发出包括电源在内的完整评估套件。

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Type
3001473-3001481 SiPM SiPM Module

注:产品需有最低订购量,请与大家联系。

The post 硅光电倍增管(SiPM) appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
/product/silicon-multiplier/feed/ 0
InGaAs铟镓砷探测器 /product/ingaas-detector/ /product/ingaas-detector/#respond Tue, 01 Dec 2020 07:07:26 +0000 https://joez2.sg-host.com/?post_type=product&p=4101 First Sensor提供大面积铟镓砷PIN(InGaAs PIN)光电二极管,其活性传感器表面直径最高可达3mm。该系列二极管具有低暗电流和高灵敏度(最高可达1700nm波长)的特点。另提供用于可见光波长范围的增强型版本。外壳提供TO解决方案和SMD封装方式备选。欢迎垂询,了解契合您具体应用需求的特定传感器解决方案。

The post InGaAs铟镓砷探测器 appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
特性

  • 灵敏度高达1700nm
  • 低暗电流
  • 活动区面积可达0.7至7mm?

文件下载

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm?)
Spectral
Response (A/W)
at 650 nm / at 1550 nm
Dark current (nA)
at 5V (nA)
Capa-
citance
(pF) at 5 V
Wave-
band
(nm)
3001210 PC0.7-i LCC6.1 1.0 / 0.7 0.05 / 0.95 2 70 900…1700
3001211 PC0.7-ix LCC6.1 1.0 / 0.7 0.3 / 0.95 2 70 600…1700
3001213 PC0.7-ix TO52S1 1.0 / 0.7 0.3 / 0.95 2 70 600…1700
3001228 PC7.1-i TO5i 3.0 / 7.1 0.05 / 0.95 25 700 900…1700

注:产品需有最低订购量,请与大家联系。

The post InGaAs铟镓砷探测器 appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
/product/ingaas-detector/feed/ 0
位敏二极管(PSD) /product/position-sensitive-diode/ /product/position-sensitive-diode/#respond Tue, 01 Dec 2020 05:58:07 +0000 https://joez2.sg-host.com/?post_type=product&p=4070 该系列元器件利用已产生光电流的横向光电效应。“位置敏感探测器”(PSD)指基于硅PIN二极管技术的光电设备,用于测量入射光信号积分焦点的空间位置。例如,位敏探测器将光斑转换成与该光斑焦点位置相对应的一个连续电信号,再通过计算两个输出电流之间的关系得到该方位的具体参数。

The post 位敏二极管(PSD) appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
特性

  • 二维位敏探测器
  • 两面横向型位敏探测器
  • 高位置分辨率
  • 高线性度
  • 元器件量程范围在两个方向上最高可达20mm

文件下载

 

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Dimension Active Area
Size (mm) /
Area (mm?)
Rise time (ns);
M = 100,
20 V, 50 Ω
Inter-
electrode
Resistance
3001032 DL100-7 CERpin dual axis 10×10 / 100 4000 12
3001034 DL100-7 CERsmdG dual axis 10×10 / 100 4000 12
3001156 DL100-7 LCC10 dual axis 10×10 / 100 4000 12

 

评估板

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm?)
5000011 DL100-7 PCBA3 10×10 / 100

The post 位敏二极管(PSD) appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
/product/position-sensitive-diode/feed/ 0
雪崩光电二极管阵列(APD阵列) /product/avalanche-photodiode-array/ /product/avalanche-photodiode-array/#respond Tue, 01 Dec 2020 03:13:01 +0000 https://joez2.sg-host.com/?post_type=product&p=4044 该系列雪崩光电二极管专门针对激光雷达(LIDAR)系统和激光测距仪而设计,包含线性与矩阵阵列,在单片冲模上配置多个传感器,如8像素、16像素或64像素等。

The post 雪崩光电二极管阵列(APD阵列) appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
特性:

  • 在900nm波段范围内具有快速上升时间
  • 在工作电压大于偏置电压时可实现低增益斜率
  • 可有效降低偏置水平
  • 低温度系数
  • 活性表面直径达5毫米

文件下载

多元阵列

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active elements Quantum efficency (QE)
3005259 16AA0.13-9 SOJ22GL 16 > 80 % at 760-910 nm with NTC
3001411 16AA0.4-9 SOJ22GL 16 > 80 % at 760-910 nm
3001421 QA4000-10 TO8Si 4 High QE at 850-1070 nm
3001284 QA4000-10 TO8S 4 High QE at 850-1070 nm

 

评估板

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Type
3005542 16AA0.4-9 on PCB 16 element APD array with 4 (4) channel TIA’s
Remark: Available upon request for sampling to LiDAR projects

The post 雪崩光电二极管阵列(APD阵列) appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
/product/avalanche-photodiode-array/feed/ 0
四象限雪崩光电二极管(QA) /product/four-quadrant-avalanche-photodiode/ /product/four-quadrant-avalanche-photodiode/#respond Mon, 30 Nov 2020 09:28:24 +0000 https://joez2.sg-host.com/?post_type=product&p=3994 四象限光电二极管是分立元器件,通常由小间隙隔开的四个有效探测区域组成。该系列光电二极管可用于诸多应用领域,用以检测激光束、准直器及其他方便调节用元器件。

The post 四象限雪崩光电二极管(QA) appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
特性

  • 小面积间隙
  • 低暗电流
  • 优良的耐腐蚀性能
  • 高分辨率
  • 另提供用于1064nm的特别版本

文件下载

PDF:?雪崩光电二极管应用说明

PDF:?处置与加工

10系列:近红外敏感增强型(1064nm波段)

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Quantum efficency (QE) Dark current
(nA); 10 V
Active Area
Size (mm) /
Area (mm?)
Rise time (ns);
850 nm, 10 V, 50 Ω
3001421 QA4000-10 TO8Si high QE at 850-1070 nm 7* ? 4 / 4×3,14 5
3001284 QA4000-10 TO8S high QE at 850-1070 nm 7* ? 4 / 4×3,14 5

* per segment

The post 四象限雪崩光电二极管(QA) appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
/product/four-quadrant-avalanche-photodiode/feed/ 0
雪崩光电二极管(APD) /product/avalanche-photodiode-apd/ /product/avalanche-photodiode-apd/#respond Mon, 30 Nov 2020 08:15:07 +0000 https://joez2.sg-host.com/?post_type=product&p=3986 First Sensor致力于运用各类先进技术研发和制造高品质雪崩光电二极管系列产品。材料与加工工艺可根据具体客户的具体产品需求进行调整,以此优化产品参数,其中包括不同波长、速度和容量下的灵敏度等。大家致力于为您找到最适合您具体应用需求的理想技术。

The post 雪崩光电二极管(APD) appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
关于雪崩光电二极管

雪崩光电二极管是具有内增益机制的二极管。在运行标准二极管时,光子产生电子空穴对。系统通过施加外部电压,利用碰撞电离效应,吸引更多电子跃迁至导带,以此加速进程。这些二次电子反过来可吸取足够能量,进一步增加被吸引跃迁至导带的电子数量,因而可形成高达几百倍的倍增因子。

雪崩二极管通常用于光信号强度极低的工作环境,但也用于具有高调制频率的应用领域。在低于60兆赫的频率范围内,因雪崩效应而加剧的噪声水平通常低于通过结合使用传统二极管与外部电子放大器而产生的噪声水平。

该产品的典型应用领域包括低电平信号下的距离测量及光通信等。First Sensor提供范围宽广的雪崩光电二极管探测器,并配备多款外壳。大家针对蓝光、红光和自905nm至1064nm的红外光谱范围进行元器件优化设计,产品范围涵盖几乎所有应用领域。

光谱响应图

下载:

 

8系列:针对高截止频率进行优化设计(650nm至850nm波段)雪崩光电二极管

得益于高增益和高速的特性,该系列雪崩光电二极管适用于众多工业应用领域,其中包括距离测量、激光扫描、光通信等。

特性:

  • 在800nm波段具有最高灵敏度
  • 针对高速特性进行设计优化
  • 低温度系数
  • 快速上升时间
  • 可有效降低偏置水平
  • 低电容

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm?)
Dark current
(nA); M = 100
Breakdown
voltage (V)
Rise time (ns)
M = 100,
905 nm, 50 Ω
3001401 AD230-8 LCC6.1 ? 0.23 / 0.04 0.3 80–120 0.18
3001341 AD230-8 TO52S1 ? 0.23 / 0.04 0.3 80–120 0.18
3001399 AD500-8 LCC6.1 ? 0.5 / 0.2 0.5 80–120 0.35
3001349 AD500-8 TO52S1 ? 0.5 / 0.2 0.5 80–120 0.35

另提供内置带通(BP)滤波器的芯片备选

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
(mm)
BP center
(nm)
BP trans-
mission (%)
BP FWHM
(nm)
3001405 AD230-8 LCC6.1f ? 0.23 635 >90 55
3001396 AD500-8 LCC6.1f ? 0.5 635 >90 55

注:产品需有最低订购量,请与大家联系。

 

9系列:近红外敏感增强型(900nm波段)光电二极管

该系列雪崩光电二极管专门针对激光雷达(LIDAR)系统和激光测距仪而设计,提供用于阵列开发的基本技术,并配备多款传感器供选,如8像素、16像素或32像素等。

特性:

  • 在900nm波段范围内具有快速上升时间
  • 在工作电压大于偏置电压时可实现低增益斜率
  • 可有效降低偏置水平
  • 低温度系数
  • 活性表面直径达5毫米

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm?)
Dark current
(nA); M = 100
Breakdownvoltage (V)
Rise time (ns);
M = 100,
905 nm, 50 Ω
3001345 AD230-9 TO52S1 ? 0.23 / 0.04 0.5 160–200 0.5
3001415 AD230-9 LCC6.1 ? 0.23 / 0.04 0.5 160–200 0.5
3001351 AD500-9 TO52S1 ? 0.5 / 0.2 0.8 160–200 0.55
3001413 AD500-9 LCC6.1 ? 0.5 / 0.2 0.8 160–200 0.55

另提供内置带通(BP)滤波器的芯片备选

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
(mm?)
BP center
(nm)
BP trans-
mission (%)
BP FWHM
(nm)
3001429 AD230-9 TO52S1F2 ? 0.23 905 >90 45
3001493 AD230-9 LCC6.1f ? 0.23 905 >90 45
3001380 AD500-9 TO52S1F2 ? 0.5 905 >90 45
3001495 AD500-9 LCC6.1f ? 0.5 905 >90 45

多元阵列

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package
3005259 16AA0.13-9 SOJ22GL APD Array 16 elements, QE > 80%?@ 760-910 nm with NTC
3001411 16AA0.4-9 SOJ22GL APD Array 16 elements, QE > 80 %?@ 760-910 nm

混合模块

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Transimpedance [Ohm] Bandwidth [MHz]
5000041 AD500-9 TO52 2750 500
5001322 AD230-9 TO5 2750 600
5000073 AD500-9 TO5 2750 500

注:产品需有最低订购量,请与大家联系。

 

10系列:近红外敏感增强型(1064nm波段)雪崩光电二极管

该系列雪崩光电二极管适用于激光测距仪和采用YAG梅高美游戏网站或类似近红外辐射源的任何应用领域。

特性:

  • 在1064nm波段量子产率高
  • 高灵敏度
  • 低噪音
  • 高速
  • 专门针对更长波长进行优化设计

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm?)
Dark current
(nA); M = Vop
Breakdown
voltage (V)
3001157 AD500-10 TO5i ? 0.5 / 0.2 1.5 220-600
3001426 AD4000-10 TO8Si ? 4 / 12.56 50 220-600
3001064 AD4000-10 TO8S ? 4 / 12.56 50 280-500

多元阵列

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package
3001421 QA4000-10 TO8Si Quadrant Avalanche Photodiode, High QE at 850-1070 nm
3001284 QA4000-10 TO8S Quadrant Avalanche Photodiode, High QE at 850-1070 nm

注:产品需有最低订购量,请与大家联系。

The post 雪崩光电二极管(APD) appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
/product/avalanche-photodiode-apd/feed/ 0
PIN光电二极管 /product/pin-photodiode/ /product/pin-photodiode/#respond Mon, 30 Nov 2020 06:56:55 +0000 https://joez2.sg-host.com/?post_type=product&p=3977 First Sensor致力于运用各类先进技术研发和制造光电二极管系列产品。材料与加工工艺可根据具体客户的具体产品需求进行调整,以此优化产品参数,其中包括不同波长、速度和容量下的灵敏度等。大家致力于为您找到最适合您具体应用需求的理想技术。

The post PIN光电二极管 appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
关于PIN光电二极管

光电二极管是将光转换成电压(光电效应)或光电流的半导体部件。硅半导体中的P-N结是实现该过程的物理基础。具有足够能量的光子被探测器吸取后会形成光生载流子(电子空穴对)。光生载流子在空间电荷区完成分离后产生光电流。

在不施加外部电压的情况下亦可分离光生载流子。该过程可采用反向电压加速进程。如果不在饱和状态下运行二极管,则光电流与吸光度值能够在多个数量级维持线性关系。

根据外部连接方式,大家将运行状态分为两类:元件运行和二极管运行。在元件运行状态下,二极管直接连接至电器终端,无需使用外部电压源。在此种工作状态下,系统无暗电流产生,便于检测最小强度变化。

在二极管运行状态下,外部电压源与电器终端串行连接,向二极管施加反向电压。在要求实现快速信号响应之应用领域,此种运行模式不啻为理想之选。但其主要缺点是暗电流会随温度升高而呈指数级增长。

PIN二极管在P型半导体和N型衬底之间加入一层本征半导体层,形成本征半导体区(通常为空间电荷区)。然而,该术语词亦可用于具有逆导电性的元器件,但其前提是该元器件未涉及其他非线性效应。

光谱响应图

下载:

PDF:?PIN光电二极管应用说明

PDF:?处置与加工

 

5系列:近红外光敏感型高速光电二极管PIN光电二极管

该系列外延式高速光电二极管可成为低工作电压领域可见光与近红外应用的理想之选。

特性:

  • 具有外延层结构的光电二极管,可在低反向电压下加快上升时间。
  • 通过优化外延层厚度,有助于在800nm波段实现最快速度与最大灵敏度。
  • 即使在高工作温度下仍可保持低暗电流

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm?)
Dark current
(nA) 3.5 V
Rise time (ns)
405nm, 3.5 V, 50 Ω
3001393 PS0.25-5 LCC6.1 0.5×0.5 / 0.25 0.1 0.4
3001048 PS0.25-5 SMD1206 0.5×0.5 / 0.25 0.1 0.4
3004648 PS1.0-5 TO52 1×1 / 1 0.2 1.0

注:产品需有最低订购量,请与大家联系。

 

6系列:具有超低暗电流的红外光电二极管PIN光电二极管

高性能PIN光电二极管,可用于检测低电容光子及α、β、γ和X射线辐射。

特性

  • 专门针对光伏与光导应用对PIN光电二极管技术进行优化设计
  • 超低暗电流
  • 优良的耐腐蚀性能
  • 电荷载流子寿命长
  • 高击穿电压

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm?)
Dark current
(nA) 3.5 V
Rise time (ns)
850 nm, 10 V, 50 Ω
3001208 PC10-6 TO5 ? 3.57 / 10 0.2 20
3001047 PC20-6 TO8 ? 5.05 / 20 0.3 25
3001054 PS100-6 CERpinG 10×10 / 100 1 40

注:产品需有最低订购量,请与大家联系。

 

6b系列:蓝绿光敏感型光电二极管PIN光电二极管

蓝绿光敏感增强型PIN光电二极管。

特性

  • 低电容
  • 超低暗电流
  • 长期稳定的检测性能

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm?)
Dark current
(nA) 5 V
Rise time (ns)
410 nm, 5 V, 50 Ω
3001225 PS13-6b TO5 3.5×3.5 / 13 0.25 50

注:产品需有最低订购量,请与大家联系。

 

四象限PIN光电二极管(QP)PIN光电二极管

四象限光电二极管是分立元器件,通常由小间隙隔开的四个有效探测区域组成。该系列光电二极管可用于诸多应用领域,用以检测激光束、准直器及其他方便调节用元器件。

特性:

  • 小面积间隙
  • 低暗电流
  • 优良的耐腐蚀性能
  • 高分辨率
  • 另提供用于1064nm的特别版本

6系列:低暗电流

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm?)
Gap (?m) Dark current
(nA); 10 V
Capa-
citance
(pf); 10 V
Rise time (ns);
850 nm, 10 V, 50 Ω
5000029 QP1-6 TO52 ? 1.13 / 4×0.25 16 0.1* 1 20
3004334 QP50-6 TO8S ? 7.8 / 4×12.5 42 2.0* 25 40

* per segment

Q系列:1064nm波段光电二极管

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm?)
Dark current
(nA); 150 V
Rise time (ns);
1064 nm, 180 V, 50 Ω
3001177 QP22-Q TO8S ? 5.3 / 4×5.7 1.5* 12
3001275 QP45-Q TO8Si with heater 6.7×6.7 / 4×10.96 8* 12
3001386 QP154-Q TO1032i ? 14.0 / 4×38.5 10* 12
3001433 QP154-Q TO1081i with heater ? 14.0 / 4×38.5 10* 12

* per segment

评估板

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm?)
5000021 QP45-Q HVSD 6.7×6.7 / 4×10.96
5000010 QP50-6 (42 ?m) SD2 ? 7.8 / 4×11.78
5000023 QP154-Q HVSD ? 14.0 / 4×38.5

注:产品需有最低订购量,请与大家联系。

The post PIN光电二极管 appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
/product/pin-photodiode/feed/ 0
peakDetect超快脉冲探测器 /product/peakdetect/ /product/peakdetect/#respond Fri, 27 Nov 2020 14:00:06 +0000 https://joez2.sg-host.com/?post_type=product&p=3890 peakDetect是一种创新的测量工具,用于精确监测超短脉冲梅高美游戏网站。它是质量管理和预测性维护的关键工具,可以节省停机的时间成本,并帮助提前计划必要的服务。

The post peakDetect超快脉冲探测器 appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
peakDetect是没有活动部件的单一设备。它同时测量平均功率、光束指向、非线性效率和温度。这些测量还得到脉冲质量作为一个新的独特的监测参数,以及峰值功率。

紧凑和坚固的设计使peakDetect成为激光系统或生产线的理想结合,并作为便携的服务工具。

48小时测量结果比对:

在48小时内,将peakDetect的测量结果和各种标准测量工具进行比较,显示出激光参数的变化趋势和微小变化的良好一致性。

特点:

  • 检测脉冲随时间的变化。
  • 脉冲参数数据存储。
  • 皮秒和飞秒激光脉冲参数优化。
  • 紧凑结构,易于集成。

参数:

波长范围 700~1100 nm,500~550 nm
脉宽范围 50 fs~10 ps
重频 1 kHz … 2 MHz (内部测量),>2 MHz (手动输入)
输入偏振态 线偏振/任意方向
响应时间 <5 ms
光斑位置灵敏度 精度<5 um, 分辨率<1 um
孔径 2.2 mm或可定制
电脑接口 USB/Serial/Fieldbus, 可提供定制
供电 via USB connection
尺寸 44x80x41 mm的铝氧化发黑腔,其它可定制
直接测量值 重频、平均功率、光束位置、非线性效率
检测测量值 峰值功率、脉冲质量、脉冲宽度

应用:

  • 激光脉冲性能监测,如用于激光生产、微加工
  • 激光医疗诊断和校准,例如眼科
  • 预测性维护(工业4.0),激光质量管理

 

产品资料:APE peakDetect rev.4.1.1

The post peakDetect超快脉冲探测器 appeared first on Pinnacle Scientific (China) Limited.

]]>
/product/peakdetect/feed/ 0